化州超低功耗MCU公司
發(fā)布時間：2023-06-01 01:54:18
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RJM8L003系列是 8位低功耗通用MCU。?內置硬件真隨機數發(fā)生器。集成12位高精度逐次逼近型ADC。硬件上Pin對Pin兼容新塘N76E003，片內資源較為豐富，?能以更優(yōu)性能、更高性價比為用戶的應用場景提供更好的選擇，適用于電池供電的消費電子、家用醫(yī)療設備、手持美容設備、?物聯網終端和安防報警等市場領域。采用Keil uVision4或IAR集成開發(fā)環(huán)境開發(fā)調試應用代碼。 穩(wěn)定可靠的低功耗通用芯片 ????RJM8L003系列MCU是基于增強型哈佛架構的CPU內核和多級流水線指令系統，相同時鐘頻率的處理性能是傳統8051的3倍，主頻高達16MHz，halt模式功耗低至0.6uA,?內置高速存儲器Flash 32KB，SRAM 4KB；供電電壓1.8V~5.5V，其工作溫度范圍可覆蓋-40℃～+85℃。 高精度采樣，片上資源豐富 ?????? 芯片內置2路串口，1路低功耗串口，1路SPI，1路I2C，豐富的通信外設讓芯片可適應多種開發(fā)和應用需求；內置多可達7個外部通道的12位ADC。 升級拓展，對應客戶所需 ?????RJM8L003系列MCU芯片增加小封裝，可配置DFN20，TSSOP24/TSSOP20/SOP16/SOP14共5種封裝，滿足用戶不同場景的設計需求，提升系統集成性；有優(yōu)秀的可移植性，有助于客戶降低產品設計時間，加速產品上市。
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RJM8L003系列是 8位低功耗通用MCU。?內置硬件真隨機數發(fā)生器。集成12位高精度逐次逼近型ADC。硬件上Pin對Pin兼容新塘N76E003，片內資源較為豐富，?能以更優(yōu)性能、更高性價比為用戶的應用場景提供更好的選擇，適用于電池供電的消費電子、家用醫(yī)療設備、手持美容設備、?物聯網終端和安防報警等市場領域。采用Keil uVision4或IAR集成開發(fā)環(huán)境開發(fā)調試應用代碼。 穩(wěn)定可靠的低功耗通用芯片 ????RJM8L003系列MCU是基于增強型哈佛架構的CPU內核和多級流水線指令系統，相同時鐘頻率的處理性能是傳統8051的3倍，主頻高達16MHz，halt模式功耗低至0.6uA,?內置高速存儲器Flash 32KB，SRAM 4KB；供電電壓1.8V~5.5V，其工作溫度范圍可覆蓋-40℃～+85℃。
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另外，如果 MCU時鐘系統為外設提供多個時鐘源的話，當 CPU 處于睡眠狀態(tài)時外設仍然可以運行。例如，一次 A/D 轉換可能需要一個高速時鐘。如果 mcu 時鐘系統提供獨立于 CPU 的高速時鐘，CPU 就可以在 A/D 轉換器運行情況下進入睡眠狀態(tài)，從而節(jié)省 CPU 耗流量。 事件驅動功能與時鐘系統的靈活性并存。中斷會使 mcu 退出低功耗模式，因此，MCU的中斷越多，其防止浪費電流的 CPU 輪詢與降低功耗的靈活性就越大。輪詢意味著進行與不進行功耗預算之間存在差異，因為它在等待出現事件時會浪費CPU 帶寬并需要額外電流。一個好的低功耗 MCU 應具有充分的中斷功能，為其所有外設提供中斷，同時為外部事件提供眾多外部中斷。 按鈕或鍵盤應用可以證明外部中斷的優(yōu)勢。如果不具備中斷功能，MCU必須頻繁輪詢鍵盤或按鈕，以確定其是否被按下。不僅輪詢自身會消耗功率，而且控制輪詢間隔也需要定時器，其會消耗附加電流。相比而言，在具備中斷情況下，CPU 可以在整個過程中保持睡眠狀態(tài)，只有按下按鈕時才激活。 在選擇低功率 MCU時，還需要考慮外設功耗與電源管理。某些低功率 MCU僅僅是設計時不具備低利率功能的舊架構的改進版本。而有些 MCU在設計時即具備低功耗特性，并在其外設中內置了低功耗功能。一種特性是在需要時單獨啟動或關閉外設的能力，換言之，更重要的是自動啟動或關閉外設的能力。A/D 轉換器就是一個例子，其在完成一次轉換后可以自動關閉。另外，某些 MCU 正在引入直接存儲器存取功能，其可以在無需 CPU 干預情況下自動處理數據。 大多MCU 具有集成的掉電保護功能，當電源低于正常操作范圍時其可以復位 MCU。通常會提供啟動或關閉掉電保護以節(jié)省功耗的功能，但是必須在整個過程中都使掉電保護功能置于可用狀態(tài)，因為掉電是不可預測的。某些 MCU需要70uA 的電流來實現掉電保護。在只需要 45uA 平均電流的應用實例中很明顯可以不考慮這些 MCU。----在選擇低功耗 mcu 期間有時會忽視漏電流，但是，在苛刻的低功耗應用中則必須考慮到漏電流。大多改進后的低功耗 MCU都具有 1uA 的限定輸入漏電流。在 20 輸入器件中，它可能會消耗 20uA！針對低功耗設計的新 MCU具有高50nA 的漏電流。
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因為RJGT101D6的RSD腳既是電源輸入腳又是數據通信腳，當它做為數據通信腳時需要外部上拉電阻才能輸出高電平，所以我們在2個上橋臂上增加1個公用的2.2KΩ上拉電阻后到電源VCC。發(fā)熱絲工作時需要1A以上的電流，不能用有上拉電阻的H橋來驅動，因為上拉電阻會限制輸出電流，需要另外設計2個上橋臂，也就是圖中的MOS5和MOS6。當發(fā)熱絲需要工作當時，MOS5或者MOS6導通，電池電流直接驅動發(fā)熱絲，通過下橋臂MOS2或者MOS4流入到GND。 ? ?上一章中提到，我們將煙彈內部的發(fā)熱絲和加密芯片RJGT101D6采用串聯連接。因為只有RJGT101D6是由極性的，我們考慮設計一個單向旁路電路與RJGT101D6并聯，實現RJGT101D6正向工作反向旁路的效果。經過驗證我們選用了P-MOS管設計單向旁路電路，當然也可以用N-MOS管。但不能用二極管，因為二級管的正向導通壓降大于0.3V，相當于給RJGT101D6提供了負0.3V的工作電壓，這會導致其損壞。事實上很多邏輯芯片的工作電壓都不能小于負0.3V。發(fā)熱絲和RJGT101D6不能并聯也是出于過高的負電壓會損壞RJGT101D6考慮的，因為發(fā)熱絲的瞬時壓降會到達3V以上。